发现极性无机材料有更大的带隙能（图3-3），配用所预测的热机械性能与实验和计算的数据基本吻合（图3-4）。
电设对于绿色QLEDs,460,000cd/m2的高亮度和6%的EQE是最近才同时实现的。发展（b）CdSe/6MLZnSe核/壳QD的STEM图像。
阶段技术及市该成果近日以题为Visiblequantumdotlight-emittingdiodeswithsimultaneoushighbrightnessandefficiency发表在知名期刊NaturePhotonics上。门槛然而到目前为止几乎所有的QLED设备开发要么在高EQE但低亮度或相反。量子点发光二极管(QLEDs)由于其改善了色彩饱和度、配用亮度、配用光谱可调性和较低的制造成本，在显示屏和照明这两个具有深远技术意义的主要应用领域得到了广泛的探索。
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（c）EQE作为三原色亮度的函数，阶段技术及市峰值EQE由虚线突出显示。
对于红色QLEDs，门槛虽然EQE由于创新的设备设计而增加到18-20.5%，但峰值EQE的亮度仍然在100-2000cd/m2范围内，远远低于照明阈值。然而，配用随着越来越多的二维材料被成功制备和研究，寻找一种较为普适的制备方法就成为一项亟待解决的问题。
电设2010年发表在《PHYSICALREVIEWLETTERS》上的一篇文章[9]系统的研究了超薄二硫化钼的电子结构和光学性能与材料层数之间的关系。随后，发展以石墨烯为代表的一系列新型薄层材料开始涌现，发展人们也开始将这类具有片状结构，横向尺寸超过100nm而厚度在一个或者几个原子的材料统称为二维材料或者超薄二维材料[1]。
在这样的背景下，阶段技术及市都柏林三一学院和牛津大学的J.N.Coleman等学者们[11]在前人研究的基础上，阶段技术及市阐释了利用液相剥离技术制备超薄层纳米片对多种层状材料具有通用性。因此，门槛如何将石墨烯与衬底解耦合以使石墨烯不受周边环境影响是石墨烯器件设计之初就面临的难题。
